A fabricante chinesa CXMT anunciou sua quinta geração de memórias DRAM, batizada de G5. Esta nova tecnologia de memória utiliza um processo de 12nm, prometendo um aumento de até 50% na capacidade por chip em comparação com a geração anterior. O avanço representa um salto significativo para a empresa no setor de semicondutores.
Para alcançar tal ganho, a CXMT desenvolveu capacitores de armazenamento com uma proporção de profundidade por largura de 45:1. Essa inovação permite reduzir a área ocupada por cada célula DRAM, otimizando o espaço e a densidade de componentes. As primeiras unidades da nova DRAM G5 já estão sendo aplicadas em módulos LPDDR5X de 24Gb.
Estes módulos LPDDR5X da CXMT já equipam celulares de alto desempenho no mercado chinês, abrangendo uma variedade de dispositivos móveis. A chegada da nova geração de memória DRAM reforça a posição da empresa no setor, que anteriormente viu um crescimento expressivo durante períodos de escassez global de componentes. A expectativa é acompanhar o impacto dessa inovação no mercado global de chips de memória.
